垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），VCSEL垂直腔面发射激光器 (半导体激光器 1.0mW)简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，VCSEL

850±10nm单模VCSEL激光器：中心波长 850nm；波长偏差 ±10nm；输出功率 1mw；TO46封装；自由空间输出；不带TEC

760nm单模垂直腔面发射激光器（VCSEL）具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,专为可调谐半导体激光吸收光谱（TDLAS）应用而设计,内置防静电（ESD）保护.

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作

795nm单模VCSEL激光器 1mw Philips正向电流 VF 典型值 1.8 V 输出功率 Φ 典型值 0.13 mW 阈值电流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 单模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波长 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm