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THZ-GASE-10-10-1GaSe(硒化镓)晶体

GaSe(硒化镓)晶体
产品简介
product
产品分类| 品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 医疗卫生,环保,化工,生物产业,能源 | 晶体规格 | 10 x 10 x 1mm |
太赫兹碲化锌晶体 20x20x0.5mm
GaSe(硒化镓)晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。
注:GaSe晶体的解理面为(001),因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软,易碎。

GaSe晶体的透过率曲线

实验室光路系统

EOS测量及反演结果
