• 中红外热电冷却光电导HgCdTe探测器

    中红外热电冷却光电导HgCdTe探测器是一种热电冷却光电导HgCdTe(碲镉汞,MCT)探测器。这种材料对2.0到15 μm的中红外光谱波段光波敏感。 中红外热电冷却光电导HgCdTe(碲镉汞,MCT)探测器 2.0 - 15μm / 450KΩ

    更新时间:2024-12-04
    产品型号:
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  • MCT-PCI-2TE-5-2×2MCT两级TE冷却光电导探测器

    1-15μm中红外光浸没式MCT两级TE冷却光电导探测器 PCI-2TE系列是基于复杂的MCT异质结构的两级热电冷却红外光电导探测器,采用光学浸没来提高器件的性能,具有好的性能和稳定性。探测器在λ_opt条件下性能达到好。截止波长受GaAs透过率(~0.9μm)的限制。设备应该在好的偏置电压和电流读出模式下工作。

    更新时间:2024-12-04
    产品型号:MCT-PCI-2TE-5-2×2
    浏览量:728
  • MCT-PVMI-8-1×1MCT 中红外非冷却光浸式多结光伏探测器

    2-12μm ,MCT 中红外非冷却光浸式多结光伏探测器PVMI系列采用光学浸没的方式改善器件的参数,以达到好的性能和稳定性。探测器在λopt入射时性能好。这是一款特别适用于在2 ~ 12 μm光谱范围内工作的大感光面探测器。

    更新时间:2024-12-04
    产品型号:MCT-PVMI-8-1×1
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  • 1-16μm MCT四级热电冷却红外光电导探测器

    1-16μm MCT四级热电冷却红外光电导探测器 PC-4TE系列是基于复杂的MCT异质结构的四级热电冷却红外光电导探测器,具有好的性能和稳定性。这些器件在λopt下工作性能最佳。设备应该在好的偏置电压和电流读出模式下工作。

    更新时间:2024-12-04
    产品型号:
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  • InAs-PVA-3-0.1×0.1红外非冷却InAs光伏探测器 2.15-3.5μm

    红外非冷却InAs光伏探测器 2.15-3.5μm PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求

    更新时间:2024-12-04
    产品型号:InAs-PVA-3-0.1×0.1
    浏览量:878
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