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产品分类
美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器：材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 响应度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC,SMF28e
更新时间：2024-12-04
产品型号：ET-3500F
浏览量：2070
美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器：材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 响应度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ； 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接,FC/UPC
更新时间：2024-12-04产品型号：ET-5000F浏览量：1920
美国EOT - 硅光电探测器 118 MHz：材料：Silicon 上升／下降时间：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ； 响应度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１１８ＭＨｚ； 有效面积直径：２．５５ｍｍ； 输出连接：BNC
更新时间：2024-12-04产品型号：ET-2070浏览量：1004
美国EOT InGaAs 铟镓砷光电探测器 2 GHz：材料：InGaAs 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC
更新时间：2024-12-04产品型号：ET-3010浏览量：1238
2.2um扩展型InGaAs光电二极管探测器：峰值波长（典型）： 2.0 ± 0.1um 截止波长 (50%): 2.2 ± 0.1um 响应度@ λP(min/typ)：0.9/1.0A/W 有效直径：3mm
更新时间：2024-12-04产品型号：GAP3000/2.2浏览量：1055
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